精神较Adv.Mater.Int.,2016,3,1600347。
b-d）生长在Au(111)(b)、痛苦人Ag(111)(c)和Cu(111)(d)上的chGNRs的STM图像。大多多的比e）GNR基器件的传输特性。
差值Adv.Mater.Int.,2016,3,1600347。国家杰出青年科学基金、欲望又万人计划科技创新领军人才获得者。d）基于AGNR的FET器件在不同漏极-源极偏置下的传输特性，自和插图显示了不同器件的开/关电流比直方图。
然而，精神较一些无法克服的缺陷限制了自上而下法和自下而上溶液合成法的发展。痛苦人d）在不同衬底上生长的B掺杂7-AGNR的超高真空拉曼光谱。
大多多的比f）GNRs中QDs的STM图像和nc-AFM（插图）。
这可能会导致长度不可控的GNRs，差值并进一步影响后续的性能研究和器件制造。f-i）不同的边缘状态：欲望又f）填充的边缘状态和g）以h，i）为特征的空边缘状态的微分电导图和DFT法计算出的局部DOS。
自和d）CVD衍生的CGNRs的拉曼光谱。精神较b）（a）中GNR异质结的键合分辨STM（BRSTM）图像。
b,c）前体（b），痛苦人HBC分子（c）和单个HBC分子（插图）的3DSTM图像。大多多的比图13 从多个前体生长的GNR异质结a）两种不同前体的异质结生长方案。